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碳化硅半导体MOS-产品列表
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MX20065A VRRM:650V IF (TC 155℃):20A VF(Tj 25℃):1.3V 低 VF 导致的低传导损耗,微型电容实现极低开关损耗,得益于更优的浪涌电流而具备极高的耐用性,符合工业标准的质量与可靠性 TO-220-2封装
MX500080F VDS: 800V RDS(on): 500mΩ ID :6.8A TO-220F
MX280080F VDS: 800V RDS(on): 280mΩ ID :13.3A TO-220F
MX160080F VDS: 800V RDS(on): 160mΩ ID: 20A TO-220F
MX160065F VDS: 650V RDS(on): 160mΩ ID: 20A TO-220F
MX160065A VDS :650V RDS(on):160mΩ ID: 20A TO-220封装
产品优势
01

体积小巧,节省PCB空间

02

免维护,长期可靠性高

03

环保材料,符合国家环保标准

应用场景
联系方式

无锡市滨湖区建筑西路777号国家集成电路设计中心A3幢7层706

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