采用先进的Perfect MOS5技术
 拥有出色的品质因数（FoM）
 导通电阻RDS（on）极低
 经过100%的非钳位感性开关（UIS）电压变化率（dVds）和栅极电阻（Rg）测试
 符合JEDEC标准

 采用先进的沟槽技术
 优异的品质因数（FoM）
 极低的导通电阻RDS(on)
 100%进行了UIS（非钳位感性开关）、dVds和Rg测试
 符合JEDEC标准

和无锡明芯微电子的Oring 控制器MX5050T，　高边开关配合实现完美的替代肖特基的效果

 采用先进的沟槽技术
 出色的品质因数（FoM）
 极低的导通电阻RDS（on）
 100%进行UIS（非钳位感性开关）、dVds（漏源电压变化率）和Rg（栅极电阻）测试
 符合JEDEC（JEDEC技术协会）标准

采用先进的完美MOS5技术
 优异的品质因数（FoM）
 极低的导通电阻RDS（on）
 100%进行UIS、dVds和Rg测试
 符合JEDEC标准

Low On-Resistance

Excellent FoM (figure of merit)

100% UIS and Rg tested

Features

Low On-Resistance

Excellent FoM (figure of merit)

100% UIS and Rg tested