♦ 宽工作输入电压范围 VIN: 1V 到 100V (VIN < 5V 时需要VBIAS)
♦ 110V 瞬态电压
♦ 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
♦电流反向时可快速响应
♦2A 峰值栅极关断电流
♦超小 VDS 关断电压,缩短关断时间
♦ 宽工作输入电压范围 VIN: 1V 到 100V (VIN < 5V 时需要VBIAS)
♦ 110V 瞬态电压
♦ 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
♦电流反向时可快速响应
♦2A 峰值栅极关断电流
♦超小 VDS 关断电压,缩短关断时间
MX74700与外部N沟道MOSFET配合工作,可作为理想二 极管整流器并利用20mV正向压降实现低损耗反向保护。 3.2V至100V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线 电压(例如:12V、24V和48V汽车电池系统)的控制。该 器件可耐受低至-100V的负电源电压,并提供负载保护。 该器件通过控制MOSFET的栅极将正向压降调节至20mV。 可在电流反向时支持平稳关机,并确保零直流反向电流。 该器件能够快速响应反向电流。 MX74700控制器可提供适用于外部N沟道MOSFET的电荷 泵栅极驱动器。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭, 消耗大约1μA的电流。
MX5050T 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用,与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。MX5050T 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动,并提供快速响应比较器,以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5050T 可连接到 1V 至 40V 的电源(当输入电压为 1V 至 4V 时,需要单独的 VS 电源),并可承受高达 60V 的瞬态电压。
MX171T在无锡明芯微电子之前推出的产品中,适合小电压 输 入, 如1V到 5.5V工 作的 产品 1-2A的 应用 中有 MX66100,MX22917等,对于低电压,大电流超过 2A的理想二极管,防止电流倒灌的产品还没有, MX171T的推出很好的解决了这个问题,该款产品采 用的是控制器的方式,外接低导通阈值的MOSFET, 能够满足不同工作电流大小,同时想防止电流倒灌的 应用需求
♦ 宽工作输入电压范围 VIN: 1V到40V (VIN < 5V 时需要 VBIAS)
♦50V瞬态电压
♦ 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
♦电流反向时可快速响应
♦2A 峰值栅极关断电流
♦超小VDS 关断电压,缩短关断时间
♦ SOT23-6L封装
♦ Maximum reverse voltage of 60V
♦ No Positive Voltage limitation to ANODE Terminal
♦ Charge Pump Gate Driver for External N-Channel
MOSFET
♦ Lower Power Dissipation than Schottky Diode / PFET
Solutions
♦ Low Reverse Leakage Current
♦ Fast 2μs Response to Reverse Polarity
♦ -40°C to +125°C Operating Ambient Temperature
♦ Can be Used in OR-ing Applications
♦ No Peak Current Limit
♦ 6-Pin SOT23-6L and 8-pin MSOP8
MX74610T 是一款控制器,可与 N 沟道 MOSFET 一起用于反极性保护电路。它旨在驱动外部 MOSFET,以便在与电源串联时模拟理想二极管整流器。该方案的独特优势在于它不以地为参考,因此具有零 Iq。MX74610 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动,并配备快速响应的内部比较器,以便在发生反极性时对 MOSFET 栅极进行放电。如果检测到相反的极性,此快速下拉功能可限制反向电流的大小和持续时间。
MX16171D100/MX16171S100 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用,与电源串联时可充当理想的二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。MX16171D100/MX16171S100 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动,并提供快速响应比较器,以便在电流反向流动时关闭 FET。 MX16171D100/ MX16171S100 可连接 1V 至 100V 的电源(当 IN 为 1V 至 4V 时,需要单独的 VS 电源),并可承受高达 110V 的瞬态电压。
MX16171 D高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用,与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。MX16171D 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动,并提供快速响应比较器,以便在电流反向流动时关闭 FET。MX16171D 可连接到 1V 至 40V 的电源(当输入电压为 1V 至 4V 时,需要单独的 SRC 电源),并且可承受高达 50V 的瞬态电压。
| 产品型号 | 主要功能说明 | 封装形式 | 文档下载 |
| LMX5050MK | 100V耐压, LMX5050MK是MX5050T的电压升级版本,输入电压是1v到85v的工作范围, 可连接 5V 至 100V 的电源,当输 入电压在 1V 到 4V 之间时,VS 需要另外接 5V 以上的供电。 | SOT23-6L封装 | |
| MX74700T | 100V 耐压, MX74700与外部N沟道MOSFET配合工作,可作为理想二 极管整流器并利用20mV正向压降实现低损耗反向保护。 | SOT23-6 | |
| MX5050T | 60V耐压, MX5050T 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用,与电源串联时可充当理想二极管整流器。 | SOT23-6L | |
| MX171T | MX171T 是一款理想的二极管控制器,输入范围为 1V至5.5V,采用6针SOT23封装。该器件具备主动反 向电流阻断功能。 | SOT23-6封装 | |
| MX16171S00 | SOP8 5V-100V理想二极管控制器 | SOP8 | |
| MX5050L | 60V耐压, 相比于MX5050T,该款产品的VSD(REV)更低,到10mV左右 | SOT23-6L | |
| MX74610SS | 60V耐压, 内置电荷泵,零静态功耗理想二极管控制器,和美国LM74610是Pin to Pin替代 | MSOP8 | |
| MX74610T | MX74610T 60V耐压 零静态功耗 理想二极管控制器,可与 N 沟道 MOSFET 一起用于反极性保护电路。 | SOT23-6L | |
| MX16171D100 | 100V耐压, MX16171D100/MX16171S100 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用,与电源串联时可充当理想的二极管整流器。 | DFN2*3-8L | |
| MX16171D | 60V耐压, MX16171D 是一款高侧 OR-ing FET 控制器,与外部 MOSFET 配合使用,与电源串联时可充当理想二极管整流器。 | DFN3*2-8L |
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