MX5050T 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5050T 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5050T 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 4V 时，需要单独的 VS 电源），并可承受高达 60V 的瞬态电压。

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5V-100V  SOP8理想二极管控制器

♦ 宽工作输入电压范围 V_IN: 1V到40V （VIN < 5V 时需要 V_BIAS）

♦50V瞬态电压

♦ 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器

♦电流反向时可快速响应

♦2A 峰值栅极关断电流

♦超小V_DS 关断电压，缩短关断时间

♦ SOT23-6L封装

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MX74610S

♦ Maximum reverse voltage of 60V

♦ No Positive Voltage limitation to ANODE Terminal

♦ Charge Pump Gate Driver for External N-Channel

MOSFET

♦ Lower Power Dissipation than Schottky Diode / PFET

Solutions

♦ Low Reverse Leakage Current

♦ Fast 2μs Response to Reverse Polarity

♦ -40°C to +125°C Operating Ambient Temperature

♦ Can be Used in OR-ing Applications

♦ No Peak Current Limit

♦ 6-Pin SOT23-6L and 8-pin MSOP8

MX74610T 是一款控制器，可与 N 沟道 MOSFET 一起用于反极性保护电路。它旨在驱动外部 MOSFET，以便在与电源串联时模拟理想二极管整流器。该方案的独特优势在于它不以地为参考，因此具有零 Iq。MX74610 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并配备快速响应的内部比较器，以便在发生反极性时对 MOSFET 栅极进行放电。如果检测到相反的极性，此快速下拉功能可限制反向电流的大小和持续时间。

MX16171D100/MX16171S100 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想的二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX16171D100/MX16171S100 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。 MX16171D100/ MX16171S100 可连接 1V 至 100V 的电源（当 IN 为 1V 至 4V 时，需要单独的 VS 电源），并可承受高达 110V 的瞬态电压。

MX16171 D高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX16171D 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX16171D 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 4V 时，需要单独的 SRC 电源），并且可承受高达 50V 的瞬态电压。