MX5114T 设计用于驱动升压型低边 MOSFET 或隔离拓扑结构中的次级同步 MOSFET。MX5114T 具有强大的吸电流能力，可以驱动多个并联 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低边增强型氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 所需的特性。MX5114T 提供反相和同相输入，以满足单个器件类型中反相和同相栅极驱动的要求。MX5114 的输入兼容 TTL/CMOS 逻辑，并且无论 VDD 电压如何，都能承受高达 18 V 的输入电压。MX5114T 具有分离栅极输出，可灵活地独立调节开启和关闭强度。 MX5114T 具有快速开关速度和极低的传播延迟，有利于高频操作。

MX5114E 设计用于驱动具有强大吸电流能力的 VCSEL，其内部 N-MOSFET 功率放大器。MX5114E 提供反相和同相输入，以满足反相和同相输入的要求。MX5114E 的输入兼容 TTL/CMOS 逻辑，并且无论 VDD 电压如何，都能承受高达 18 V 的输入电压。MX5114E 具有快速的开关速度和极小的传播延迟，有利于高频工作。MX5114E 采用 6 引脚 SOT23-6 封装。

MX5114D 设计用于驱动具有强大吸电流能力的 VCSEL，其内部 N-MOSFET 功率放大器。MX5114D 提供反相和同相输入，以满足反相和同相输入的要求。MX5114D 的输入兼容 TTL/CMOS 逻辑，并且无论 VDD 电压如何，都能承受高达 20 V 的输入电压。MX5114D 具有快速的开关速度和极低的传播延迟，有利于高频工作。MX5114D 采用 6 引脚 DFN2*2 封装。

MX1025D 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。其窄脉冲宽度、快速开关特性和低脉冲失真相结合，显著提升了 LiDAR、ToF 和电源转换器的性能。1.25ns 的输出脉冲宽度可实现更强大、更人眼安全的二极管脉冲。结合 300ns 的失真，可实现更远距离、更精确的 LiDAR/ToF 系统。2.9ns 的传播延迟显著缩短了控制环路的响应时间，从而提高了电源转换器的整体性能。分离输出允许通过 OUTH、OUTL 和 FET 栅极之间的外部电阻独立调整驱动强度和时序。该驱动器具有欠压锁定 (UVLO) 和过温保护 (OTP) 功能，可确保器件在过载或故障条件下不会损坏。

MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器，适用于高开关频率应用。其窄脉冲宽度、快速开关特性和低脉冲失真相结合，显著提升了 LiDAR、ToF 和电源转换器的性能。1.25ns 的输出脉冲宽度可实现更强大、更人眼安全的二极管脉冲。结合 300ns 的失真，可实现更远距离、更精确的 LiDAR/ToF 系统。2.9ns 的传播延迟显著缩短了控制环路的响应时间，从而提高了电源转换器的整体性能。分离输出允许通过 OUTH、OUTL 和 FET 栅极之间的外部电阻独立调整驱动强度和时序。该驱动器具有欠压锁定 (UVLO) 和过温保护 (OTP) 功能，可确保器件在过载或故障情况下不会损坏。

MX74502D23控制器与外部背对背连接的N沟道MOSFET配 合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。 该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于 驱动高侧MOSFET。3.2V至90V的宽电源输入范围可实现对 众多常用直流总线电压（例如，12V、24V和48V输入系统） 的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至-90V的负电 源电压的影响。 MX74502D23控制器为外部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极 驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1μA的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。 MX74502D23还具有可编程的过压保护和欠压保护功能， 可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用8引脚 DNF2*3-8L封装，额定工作温度范围为-40℃至+150℃

MX5015D22 高端 N_FET 驱动器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5015D22 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5015D22 可与电阻分压网络连接，以实现输入过压保护。