MX5050D4005 高端 OR-ing 电路与内部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 电路使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5050D4005 控制器为内部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5050D4005 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 30V 时，需要单独的 VS 电源），并可承受高达 40V 的瞬态电压。

MX5050S3028A2

♦ 比较宽的输入电压范围4v到20v，瞬态30V

♦ 内置电荷泵，内置比较器根据MOSFET的压差调整电荷泵电压，精准绿色调整电荷泵电压控制MOSFET

♦ 高速比较器检测输出和输入压差，50ns关断MOS防止倒灌

♦用2A的峰值电流放电MOS的Gate-source 电压起到快速

MX5052SL-TC 高侧理想二极管控制器内部集成 MOSFET， 当与电源串联时用作理想二极管整流器。该理想二极管 控制器可使内部 MOSFET 替换主回路中的防反二极管， 从而降低功耗和压降。 MX5052SL-TC 控制器为内部 N 沟道 MOSFET 和快速响 应比较器提供电荷泵栅极驱动，在电流反向时关断 MOSFET。MX5052SL-TC 可连接 5V 至 40V 的电源，当输入电压在 1V 到 4V 之间时，VS 需要另外接 5V 以上的 供电。 MX5052SL-TC 的正向调节阈值和反向调节阈值比 MX5052S 更低，更容易使内部 MOSFET 进入完全导通状 态和电流反向关断状态。

MX5052S 高端 OR-ing 电路与内部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 电路使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5052S 控制器为内部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5052S 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 4V 时，需要单独的 VS 电源），并且可承受高达 60V 的瞬态电压。