MX5050TL10R25 是一款集成了理想二极管控制器和100V 180A NMOS的功率模块，代替传统的肖特基，肖特基二极管广泛用于电源系统设计，可在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。汽车电源系统设计使用功率肖特基二极管，可在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。工业系统传统上采用肖特基二极管提供反极性保护以防止现场电源接线错误，并提供对雷击和工业浪涌的抗扰能力。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均采用肖特基二极管来提供系统冗余，或通过对两个或更多电源采用 Oring 电路来增加功率容量。然而，肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，从而更需要使用散热器和更大 PCB 空间来进行热管理。正向传导损耗和相关的热管理会使效率降低，并使系统成本和空间增加。随着系统功率水平的提高以及功率密度需求的增加，肖特基二极管不再是新一代高性能系统设计的优先选择。

MX5050D4005 高端 OR-ing 电路与内部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 电路使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5050D4005 控制器为内部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5050D4005 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 30V 时，需要单独的 VS 电源），并可承受高达 40V 的瞬态电压。

MX5050S3028A2

♦ 比较宽的输入电压范围4v到20v，瞬态30V

♦ 内置电荷泵，内置比较器根据MOSFET的压差调整电荷泵电压，精准绿色调整电荷泵电压控制MOSFET

♦ 高速比较器检测输出和输入压差，50ns关断MOS防止倒灌

♦用2A的峰值电流放电MOS的Gate-source 电压起到快速

MX5052SL-TC 高侧理想二极管控制器内部集成 MOSFET， 当与电源串联时用作理想二极管整流器。该理想二极管 控制器可使内部 MOSFET 替换主回路中的防反二极管， 从而降低功耗和压降。 MX5052SL-TC 控制器为内部 N 沟道 MOSFET 和快速响 应比较器提供电荷泵栅极驱动，在电流反向时关断 MOSFET。MX5052SL-TC 可连接 5V 至 40V 的电源，当输入电压在 1V 到 4V 之间时，VS 需要另外接 5V 以上的 供电。 MX5052SL-TC 的正向调节阈值和反向调节阈值比 MX5052S 更低，更容易使内部 MOSFET 进入完全导通状 态和电流反向关断状态。

MX5052S 高端 OR-ing 电路与内部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 电路使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5052S 控制器为内部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5052S 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 4V 时，需要单独的 VS 电源），并且可承受高达 60V 的瞬态电压。