MX74610 是一款控制器，可与 N 沟道 MOSFET 一起用于反极性保护电路。它旨在驱动外部 MOSFET，以便在与电源串联时模拟理想二极管整流器。该方案的独特优势在于它不以地为参考，因此具有零 Iq。MX74610 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供栅极驱动，并配备快速响应的内部比较器，以便在发生反极性时对 MOSFET 栅极进行放电。如果检测到相反的极性，此快速下拉功能可限制反向电流的大小和持续时间。

MX16171D100/MX16171S100 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想的二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX16171D100/MX16171S100 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。 MX16171D100/ MX16171S100 可连接 1V 至 100V 的电源（当 IN 为 1V 至 4V 时，需要单独的 VS 电源），并可承受高达 110V 的瞬态电压。

MX16171 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX16171 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX16171 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 4V 时，需要单独的 SRC 电源），并且可承受高达 50V 的瞬态电压。

MX5050T 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合使用，与电源串联时可充当理想二极管整流器。该 OR-ing 控制器使 MOSFET 能够取代配电网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。MX5050T 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，以便在电流反向流动时关闭 FET。MX5050T 可连接到 1V 至 40V 的电源（当输入电压为 1V 至 4V 时，需要单独的 VS 电源），并可承受高达 60V 的瞬态电压。