MX74502D23控制器与外部背对背连接的N沟道MOSFET配 合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。 该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于 驱动高侧MOSFET。3.2V至90V的宽电源输入范围可实现对 众多常用直流总线电压（例如，12V、24V和48V输入系统） 的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至-90V的负电 源电压的影响。 MX74502D23控制器为外部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极 驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1μA的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。 MX74502D23还具有可编程的过压保护和欠压保护功能， 可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用8引脚 DNF2*3-8L封装，额定工作温度范围为-40℃至+150℃