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| 产品型号 | 主要功能说明 | 封装形式 | 文档下载 |
| MXTVSXX00DRVR | 8/20µs 浪涌电流下实现低钳位电压 DFN2*2-6 低漏电流 低电容 集成 4 级 IEC 61000-4-2 ESD 保护 | DFN2*2-6封装 | |
| MX66100T ：低电压输入与超低静态功耗的理想二极管解决方案 | 在现代电源系统设计中，如何有效降低导通损耗并提升整体能效，一直是工程师面临的重要课题。传统的肖特基二极管虽然具备较低的正向压降，但在大电流应用中仍会产生显著的热损耗，且反向漏电流较大。无锡明芯微电子推出的 MX66100T 理想二极管，旨在通过先进的控制技术，为系统提供超低损耗、高可靠性的电源路径保护与整流解决方案。可应用在较多场景，如工业系统、消费电子等。目前MX66100T已在多家客户验证量产，头部客户也已验证通过。 | ||
| 小封装大功率 | 无锡明芯微平缓钳位的MXTVS系列瞬态抑制二极管 | 无锡明芯微的平缓钳位的TVS，以MXTVS为系列，覆盖5V到33V的应用需求。DFN2x2的封装尺寸，和SOD123的封装兼容，客户无需更改Footprint就可以直接贴装无锡明芯微电子的MXTVS系列产品。 | ||
| MX1K080E | VDS 800V RDS(on)典型值 1000mΩ ID 5A | TO-252封装 | |
| MX1210C ：小体积、低成本、高效率的电源适配器解决方案 | 无锡明芯微2025年推出的MX1210C控制器，经过大量客户验证和量产证明，其最大1.2A的驱动能力和0.8A的拉电流能力，可以直接驱动SIC，无需要额外的图腾柱驱动电路，在提升系统开关频率的同时，实现了系统级BOM成本的优化与功率密度的提升。通过采用PWM的MX1210C 100Khz的反激电源芯片，芯片成本比之前降低10%，SIC的MOSFET比之前Si基的MOSFET降低10%~20%，由于频率提高变压器体积能够降低10%，成本降低10%~20%， 效率提高2%~3%，在整体体积上也降低了20%，获 | ||
| MX032N03ND | VDS ： 30V RDS(ON)_max ：3 .2mΩ @VGS = 10V ID_MAX：145A | TO-252封装 | |
| MX500065F | VDS电压 650V ，RDS(on)为 500mΩ，ID电流 7.2A | TO-220F/HV-TO-220F | |
| MX380065F | VDS电压为650V ，RDS(on)内阻为380mΩ ，ID电流为9.3A | TO-220F/ HV-TO-220F | |
| 产品速评：110V 耐压 LMX5050MK，1–100V 宽压冗余电源新标杆 | |||
| LMX5069TS15 | eTSSOP14 集成功率MOSFET 80V 6A电子保险丝，带有软起动， 过流保护，短路保护，功率限制，软起动等 | eTSSOP14 |
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